Marktbericht über Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke 2025: Detaillierte Analyse der Wachstumsfaktoren, technologischen Innovationen und globalen Möglichkeiten. Erforschen Sie wichtige Trends, Prognosen und strategische Einblicke, die die Zukunft der Branche prägen.

• Zusammenfassung & Marktübersicht
• Wichtige Technologietrends bei Halbleiterbauelementen mit breitem Bandlücke
• Wettbewerbsumfeld und führende Akteure
• Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse
• Regionale Marktanalyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt
• Zukünftige Aussichten: Neue Anwendungen und Investitionsschwerpunkte
• Herausforderungen, Risiken und strategische Möglichkeiten
• Quellen & Referenzen

Zusammenfassung & Marktübersicht

Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke (WBG), die hauptsächlich auf Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) basieren, revolutionieren die globale Elektroniklandschaft, indem sie eine höhere Effizienz, eine höhere Leistungsdichte und eine überlegene Wärmeleistung im Vergleich zu traditionellen auf Silizium basierenden Bauelementen ermöglichen. Diese Eigenschaften machen WBG-Halbleiter für Anwendungen der nächsten Generation in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen, industriellen Stromversorgungen und fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur entscheidend.

Der globale Markt für Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke steht im Jahr 2025 vor robustem Wachstum, angetrieben durch die beschleunigte Übernahme in der Elektrifizierung von Automobilen, die Expansion von 5G-Netzwerken und die steigende Nachfrage nach energieeffizienter Leistungselektronik. Laut Yole Group wird der Markt für WBG-Leistungshalbleiter bis 2025 voraussichtlich über 3,5 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von über 30 % von 2020 bis 2025. Dieser Anstieg wird durch das schnelle Hochskalieren von SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs in Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen unterstützt.

Automobilhersteller stehen an der Spitze dieses Wandels und integrieren SiC-Elemente in die Antriebsstränge von Elektrofahrzeugen und die Ladeinfrastruktur, um eine höhere Effizienz und größere Reichweiten zu erreichen. Große Branchenakteure wie STMicroelectronics, Infineon Technologies AG und onsemi erweitern ihre WBG-Portfolios und Produktionskapazitäten, um der steigenden Nachfrage gerecht zu werden. Parallel dazu nutzt der Sektor der erneuerbaren Energien WBG-Geräte, um die Leistung von Solarwechselrichtern und Windkraftumrichtern zu verbessern, was das Marktwachstum weiter antreibt.

Geografisch bleibt Asien-Pazifik der dominante Markt, der durch aggressive Investitionen in die EV-Produktion, Consumer Electronics und industrielle Automatisierung, insbesondere in China, Japan und Südkorea, vorangetrieben wird. Nordamerika und Europa verzeichnen ebenfalls einen signifikanten Aufwärtstrend, unterstützt durch staatliche Anreize für saubere Energie und strategische Initiativen zur Lokalisierung von Halbleiter-Lieferketten.

Trotz der vielversprechenden Aussichten sieht sich der Markt Herausforderungen wie hohen Material- und Fertigungskosten, Engpässen in der Lieferkette und dem Bedarf an weiterer Standardisierung gegenüber. Allerdings werden laufende F&E-Bemühungen und Kapazitätserweiterungen voraussichtlich dazu führen, dass diese Hindernisse schrittweise beseitigt werden, was den Weg für die allgemeine Übernahme von WBG-Halbleiterbauelementen in verschiedenen Endnutzungssektoren im Jahr 2025 und darüber hinaus ebnet.

Wichtige Technologietrends bei Halbleiterbauelementen mit breitem Bandlücke

Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke (WBG), die hauptsächlich auf Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) basieren, stehen an der Spitze der Innovation in der Leistungselektronik, RF-Anwendungen und Optoelektronik. Mit dem Reifungsprozess des Marktes im Jahr 2025 prägen mehrere wichtige Technologietrends die Wettbewerbslandschaft und treiben die Übernahme über verschiedene Branchen voran.

• Fortschritte in der Materialqualität und Wafergröße: Der Übergang von 4-Zoll- auf 6-Zoll- und sogar 8-Zoll-SiC-Wafer beschleunigt sich, was höhere Geräteausbeuten und niedrigere Kosten pro Chip ermöglicht. Unternehmen wie Wolfspeed und onsemi investieren stark in den Ausbau der SiC-Waferproduktionskapazität, was voraussichtlich Engpässe in der Versorgung lindert und die Skalierung von Elektrofahrzeug- (EV) und industriellen Leistungseinheiten unterstützt.
• GaN-auf-Silizium-Integration: GaN-Geräte, die auf Siliziumsubstraten gefertigt werden, gewinnen aufgrund ihrer Kosteneffektivität und Kompatibilität mit bestehenden CMOS-Prozessen an Bedeutung. Dieser Trend ermöglicht die Verbreitung von GaN-basierten Leistungsschaltkreisen für Consumer Electronics, Rechenzentren und Schnellladeanwendungen, wie von Navitas Semiconductor und Infineon Technologies hervorgehoben.
• Höhere Spannungs- und Strombewertungen: Sowohl SiC- als auch GaN-Geräte verschieben die Grenzen von Spannungs- und Strombewertungen, wobei SiC-MOSFETs jetzt allgemein mit 1200V und 1700V verfügbar sind und GaN-HEMTs 650V und mehr erreichen. Dies ermöglicht ihren Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie erneuerbare Energiewechselrichter, EV-Antriebsstränge und Netzwerkinfrastruktur (STMicroelectronics).
• Verbesserungen in Zuverlässigkeit und Robustheit: Verbesserte Gerätearchitekturen und Verpackungstechnologien sprechen Zuverlässigkeitsbedenken an, insbesondere für den Automobil- und Industriebereich. Innovationen in Grabenstruktur, fortschrittlicher Passivierung und robuster Verpackung erweitern die Lebensdauer der Geräte und deren Wärmeleistung (ROHM Semiconductor).
• Integration und Smart Power Module: Die Integration von WBG-Geräten mit digitalen Steuerungs-, Sensor- und Schutzfunktionen führt zur Entstehung smarter Leistungsmodule. Diese Module vereinfachen das Systemdesign und verbessern die Effizienz, insbesondere in EVs und der industriellen Automatisierung (Mitsubishi Electric).

Diese Technologietrends werden voraussichtlich die Übernahme von WBG-Halbleiterbauelementen im Jahr 2025 beschleunigen und den globalen Übergang zur Elektrifizierung, Energieeffizienz und hochleistungsfähiger Elektronik unterstützen.

Wettbewerbsumfeld und führende Akteure

Das Wettbewerbsumfeld für Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke (WBG) im Jahr 2025 ist geprägt von schneller Innovation, strategischen Partnerschaften und signifikanten Investitionen sowohl von etablierten Branchenführern als auch von aufstrebenden Akteuren. WBG-Halbleiter, hauptsächlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Geräte, sind in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen, industriellen Stromversorgungen und 5G-Infrastruktur zunehmend kritisch. Der Markt erlebt einen intensiven Wettbewerb, da Unternehmen um die Erweiterung der Produktionskapazitäten, Verbesserung der Geräteleistungen und Sicherung der Lieferketten wetteifern.

Wichtige Akteure, die den WBG-Halbleitermarkt dominieren, sind Infineon Technologies AG, STMicroelectronics, onsemi, Wolfspeed, Inc. und ROHM Co., Ltd.. Diese Unternehmen haben erhebliche Investitionen in die SiC- und GaN-Herstellung getätigt, wobei mehrere neue Wafer-Fertigungsanlagen und langfristige Lieferverträge angekündigt wurden, um der steigenden Nachfrage gerecht zu werden. So hat Wolfspeed sein Mohawk Valley Fab erweitert, um die SiC-Waferproduktion zu steigern, während Infineon seine Kulim-Einrichtung in Malaysia für die SiC-Produktion vergrößert.

Die Wettbewerbsdynamik wird weiter von vertikalen Integrationsstrategien geprägt. Unternehmen wie STMicroelectronics und onsemi investieren in vorgelagerte Tätigkeiten, einschließlich der Sicherung der Rohmaterialversorgung und der Entwicklung proprietärer Wafer-Technologien, um Risiken in der Lieferkette zu mindern und die Qualitätskontrolle sicherzustellen. Währenddessen konzentrieren sich ROHM und Infineon darauf, ihre Produktportfolios zu erweitern, um ein breiteres Spektrum an Spannungs- und Strombewertungen abzudecken und diverse Endnutzungssektoren anzusprechen.

• Infineon Technologies AG: Führend in der Innovation sowohl von SiC- als auch von GaN-Geräten, mit einer starken Präsenz in den Automobil- und Industriesektoren.
• STMicroelectronics: Expansiert aggressiv die SiC-Kapazitäten und kooperiert mit Automobilherstellern für Plattformen der nächsten Generation von EVs.
• onsemi: Fokussiert auf Automotive und Energieinfrastruktur, mit jüngsten Übernahmen zur Stärkung seines SiC-Portfolios.
• Wolfspeed, Inc.: Pionier in SiC-Materialien und -Geräten, mit einer vertikal integrierten Lieferkette und Plänen zur globalen Expansion.
• ROHM Co., Ltd.: Bekannt für hochzuverlässige SiC-Geräte und strategische Partnerschaften im Automobilsektor.

Der Markt umfasst auch Nischenakteure und Startups, die sich auf GaN-Leistungsgeräte spezialisiert haben, wie Navitas Semiconductor und Efficient Power Conversion Corporation, die Innovationen in Consumer Electronics und Schnellladeanwendungen vorantreiben. Mit dem wachsenden Bedarf an hocheffizienten, leistungsdichten Lösungen wird erwartet, dass das Wettbewerbsumfeld dynamisch bleibt, während kontinuierliche Konsolidierung und technologische Durchbrüche die Zukunft der WBG-Halbleiter gestalten.

Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse

Der Markt für Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke (WBG) steht zwischen 2025 und 2030 vor robustem Wachstum, angetrieben von der beschleunigten Übernahme in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlichen industriellen Anwendungen. Laut Prognosen von MarketsandMarkets wird der globale WBG-Halbleitermarkt, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Geräten, voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate (CAGR) von etwa 23 % während dieses Zeitraums erreichen. Es wird erwartet, dass der Umsatz von geschätzten 3,5 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf über 9,8 Milliarden US-Dollar bis 2030 ansteigt, was sowohl auf eine Volumenerweiterung als auch auf höhere durchschnittliche Verkaufspreise zurückzuführen ist, da sich die Leistung der Geräte verbessert.

Die Volumenanalyse zeigt einen signifikanten Anstieg der Stücklieferungen, insbesondere für SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs, die zunehmend in hocheffizienten Leistungskonversionen und Schnellladeanwendungen bevorzugt werden. Die Yole Group projiziert, dass die jährlichen Stücklieferungen von WBG-Leistungshalbleitern bis 2030 1,2 Milliarden Stück übersteigen werden, im Vergleich zu etwa 350 Millionen Stück im Jahr 2025. Dieser Anstieg wird dem schnellen Übergang zur Elektrifizierung des Verkehrssektors und dem Ausbau der Infrastruktur für erneuerbare Energien zugeschrieben, wo WBG-Geräte eine überlegene Effizienz, Wärmeleistung und Leistungsdichte im Vergleich zu traditionellen Siliziumkomponenten bieten.

Regional gesehen wird erwartet, dass Asien-Pazifik seine Dominanz beibehält und bis 2030 über 50 % des globalen Umsatzes ausmacht, unterstützt durch die aggressive Übernahme von EVs in China, Südkorea und Japan sowie erhebliche Investitionen in lokale Produktionskapazitäten. Nordamerika und Europa wird ebenfalls eine Überdurchschnittliche Wachstumsrate projiziert, unterstützt durch staatliche Anreize für saubere Energie und die Lokalisierung von Halbleiter-Lieferketten.

Wichtige Industriefirmen wie Infineon Technologies AG, Wolfspeed, Inc. und onsemi erhöhen ihre Produktionskapazitäten und investieren in nächste Generation von Gerätearchitekturen, um der steigenden Nachfrage gerecht zu werden. Der Markt erlebt auch eine verstärkte vertikale Integration und strategische Partnerschaften, um die Versorgung mit Rohmaterialien zu sichern und Innovationszyklen zu beschleunigen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Zeitraum 2025–2030 für den Markt der WBG-Halbleiterbauelemente transformativ sein wird, mit zweistelligen CAGR, erheblichem Umsatzwachstum und einem starken Anstieg der Versandvolumina, gefördert durch den globalen Übergang zur Elektrifizierung und Energieeffizienz.

Regionale Marktanalyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt

Der globale Markt für Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlänge (WBG) verzeichnet ein robustes Wachstum, wobei die regionalen Dynamiken durch technologische Innovation, staatliche Richtlinien und die Nachfrage der Endnutzer geprägt sind. Im Jahr 2025 bieten Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und der Rest der Welt (RoW) jeweils unterschiedliche Chancen und Herausforderungen bei der Einführung von WBG-Geräten, insbesondere in der Leistungselektronik, im Automobilbereich und in den erneuerbaren Energiesektoren.

Nordamerika bleibt ein führender Standort für die Innovation von WBG-Halbleitern, angetrieben durch starke F&E-Investitionen und ein ausgereiftes Ökosystem für Elektrofahrzeuge (EV) und erneuerbare Energien. Die Vereinigten Staaten profitieren insbesondere von staatlichen Initiativen, die die heimische Halbleiterproduktion und Elektrifizierung unterstützen, wie z.B. das CHIPS-Gesetz. Wichtige Akteure wie Wolfspeed und onsemi erweitern ihre SiC- und GaN-Produktionskapazitäten, um der steigenden Nachfrage von Automobil- und Industriekunden nachzukommen. Der Fokus der Region auf Energieeffizienz und Netzmodernisierung beschleunigt zudem die Einführung von WBG-Geräten.

Europa zeichnet sich durch aggressive Dekarbonisierungsziele und eine starke Automobilindustrie aus, die sich in Richtung Elektrifizierung entwickelt. Der Green Deal der Europäischen Union und die Fit for 55-Initiativen katalysieren Investitionen in WBG-Technologien für EVs, Ladeinfrastruktur und die Integration erneuerbarer Energien. Unternehmen wie Infineon Technologies und STMicroelectronics stehen an der Spitze, mit neuen SiC- und GaN-Werken, die zur Unterstützung der regionalen und globalen Nachfrage in Betrieb genommen werden. Die regulatorische Umgebung in Europa und der Fokus auf Nachhaltigkeit werden voraussichtlich zu zweistelligem Marktwachstum bis 2025 führen.

• Asien-Pazifik ist die am schnellsten wachsende Region, die den größten Anteil am WBG-Halbleiterverbrauch hat. China, Japan und Südkorea investieren stark in den heimischen Rohstoffsektor und die Übernahme von EVs. Chinesische Unternehmen wie Sanan IC und japanische Branchenführer wie ROHM Semiconductor intensivieren die Produktion, während staatliche Anreize und die lokale Nachfrage nach Consumer Electronics und erneuerbaren Energien das Marktwachstum ankurbeln. Die Dominanz der Region in der Elektronikherstellung und die schnelle Urbanisierung untermauern die Führung bei der Übernahme von WBG-Geräten.
• Rest der Welt (RoW): Märkte, einschließlich Lateinamerika und dem Nahen Osten, befinden sich in früheren Phasen der WBG-Übernahme. Das Wachstum wird hauptsächlich durch Projekte zur erneuerbaren Energie und Modernisierungsmaßnahmen im Netz angetrieben, mit wachsendem Interesse seitens lokaler Versorgungsunternehmen und Industriekunden. Einschränkungen in der Fertigungsinfrastruktur und eine höhere Importabhängigkeit könnten jedoch das kurzfristige Wachstum im Vergleich zu anderen Regionen einschränken.

Insgesamt spiegeln die regionalen Marktdynamiken im Jahr 2025 eine Konvergenz von politischer Unterstützung, industriellen Strategien und Marktnachfrage wider und positionieren WBG-Halbleiterbauelemente als Grundpfeiler der Elektronik der nächsten Generation weltweit.

Zukünftige Aussichten: Neue Anwendungen und Investitionsschwerpunkte

Mit Blick auf 2025 ist die zukünftige Perspektive für Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlücke (WBG) geprägt von einer raschen Expansion in neue Anwendungen und der Ermittlung neuer Investitionsschwerpunkte. WBG-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) werden zunehmend für ihre überlegene Leistung in Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturumgebungen im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen anerkannt. Dieser technologische Vorteil treibt ihre Einführung in einer Vielzahl von Anwendungen der nächsten Generation voran.

Eine der bedeutendsten neuen Anwendungen liegt im Bereich der Elektrofahrzeuge (EV) und ihrer Ladeinfrastruktur. WBG-Geräte ermöglichen eine höhere Effizienz und Leistung in den Antriebssträngen von EVs und Schnellladegeräten und verringern Energieverluste und Systemgröße. Laut Infineon Technologies AG wird erwartet, dass die Einführung von SiC-MOSFETs in EV-Wechselrichtern zunimmt, da große Automobilhersteller diese Geräte integrieren, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeiten zu verkürzen. Ähnlich haben onsemi und STMicroelectronics bedeutende Investitionen in SiC- und GaN-Produktion angekündigt, um der steigenden Nachfrage aus dem Automobilsektor gerecht zu werden.

Ein weiterer Schwerpunkt liegt im Bereich erneuerbare Energien, insbesondere in Solarwechselrichtern und Windkraftumwandlungssystemen. WBG-Halbleiter verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit von Stromkonversionen und unterstützen den globalen Übergang zu sauberer Energie. Wolfspeed prognostiziert, dass der Markt für SiC in der erneuerbaren Energie im Zeitraum bis 2025 mit einer zweistelligen CAGR wachsen wird, unterstützt durch staatliche Anreize und den Bedarf an Netzmodernisierung.

Die industrielle Automatisierung und Rechenzentren stehen ebenfalls vor den Vorteilen der Einführung von WBG. In industriellen Motorantrieben und Robotern ermöglichen diese Geräte kompakte, energieeffiziente Designs. In Rechenzentren werden GaN-basierte Stromversorgungen eingesetzt, um den Energieverbrauch und die Kühlanforderungen zu reduzieren, wie von Navitas Semiconductor hervorgehoben.

• Investitionsschwerpunkte: Die Region Asien-Pazifik, insbesondere China und Japan, entwickelt sich zu einem wichtigen Investitionsstandort aufgrund robuster Märkte für EV und erneuerbare Energien. Nordamerika und Europa verzeichnen ebenfalls einen Anstieg der Kapitalflüsse in WBG-Herstellung und F&E, unterstützt durch staatliche Initiativen und strategische Partnerschaften.
• Neue Anwendungen: Über die Automobil- und Energieanwendungen hinaus finden WBG-Geräte auch Anwendung in der 5G-Infrastruktur, der Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung, wo Hochfrequenz- und robuste Leistungen entscheidend sind.

Insgesamt wird das Jahr 2025 ein entscheidendes Jahr für WBG-Halbleiterbauelemente sein, in dem sich sich erweiternde Anwendungen und strategische Investitionen die Wettbewerbslandschaft prägen und den Übergang zu hocheffizienter Leistungselektronik beschleunigen.

Herausforderungen, Risiken und strategische Möglichkeiten

Halbleiterbauelemente mit breitem Bandlänge (WBG), die hauptsächlich auf Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) basieren, transformieren die Leistungselektronik, indem sie höhere Effizienz, größere Leistungdichte und verbesserte Wärmeleistung im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Geräten ermöglichen. Der Marktfaden im Jahr 2025 wird jedoch von einem komplexen Zusammenspiel von Herausforderungen, Risiken und strategischen Möglichkeiten geprägt sein.

Herausforderungen und Risiken

• Hohe Produktionskosten: Die Herstellung von WBG-Geräten erfordert teure Rohmaterialien und fortschrittliche Fertigungsprozesse. Beispielsweise ist die Produktion von SiC-Wafern komplexer und kostspieliger als bei Silizium, was zu höheren Gerätepreisen führt und die Übernahme in kostensensiblen Anwendungen einschränkt (STMicroelectronics).
• Engpässe in der Lieferkette: Die begrenzte Anzahl von Anbietern für hochwertige SiC- und GaN-Substrate schafft Engpässe, insbesondere da die Nachfrage aus der Automobil- und erneuerbaren Energiesektoren steigt. Dieses Risiko wird durch geopolitische Spannungen und potenzielle Exportbeschränkungen verstärkt (Yole Group).
• Technische Barrieren: Die Integration von WBG-Geräten in bestehende Systeme erfordert neue Designparadigmen, spezialisierte Verpackungen und fortgeschrittenes Wärmemanagement. Das Fehlen standardisierter Test- und Qualifikationsverfahren kompliziert zudem die großflächige Implementierung (Infineon Technologies).
• Zuverlässigkeitsbedenken: Langfristige Zuverlässigkeitsdaten für WBG-Geräte sind noch im Entstehen. Bedenken hinsichtlich der Gerätealterung bei Hochspannungs- und Hochfrequenzbetrieb können die Übernahme in mission-kritischen Anwendungen verlangsamen (IEEE).

Strategische Chancen

• Elektrifizierung des Automobilsektors: Der Wandel zu Elektrofahrzeugen (EVs) ist ein wichtigster Wachstumstreiber. WBG-Geräte ermöglichen schnelleres Laden, höhere Effizienz und leichtere Antriebsstränge, was sie für Plattformen der nächsten Generation von EVs attraktiv macht (Wood Mackenzie).
• Integration erneuerbarer Energien: WBG-Halbleiter verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit von Solarwechselrichtern und Windkraftumrichtern und unterstützen den globalen Übergang zu sauberer Energie (Internationale Energieagentur).
• 5G und Rechenzentren: Der Rollout von 5G-Netzwerken und die Erweiterung von Rechenzentren erfordern hocheffiziente Stromversorgung und RF-Komponenten, Bereiche, in denen GaN-Geräte ein hervorragendes Ergebnis erzielen (Gartner).
• Strategische Partnerschaften und vertikale Integration: Führende Akteure investieren in vorgelagerte Lieferketten und bilden Allianzen, um die Versorgung mit Substraten zu sichern und Innovationen zu beschleunigen, wobei einige der Liefer- und Kostenrisiken gemindert werden (onsemi).

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass, während WBG-Halbleiterbauelemente im Jahr 2025 bedeutenden Hindernissen gegenüberstehen, ihre strategische Bedeutung für Elektrifizierung, erneuerbare Energien und digitale Infrastruktur sie für eine starke langfristige Wachstumsstrategie positioniert, während die Akteure der Branche Herausforderungen in Bezug auf Kosten, Angebot und Zuverlässigkeit angehen.

Quellen & Referenzen

• STMicroelectronics
• Infineon Technologies AG
• Wolfspeed
• ROHM Semiconductor
• Mitsubishi Electric
• MarketsandMarkets
• Sanan IC
• Wolfspeed
• IEEE
• Wood Mackenzie
• Internationale Energieagentur