דו"ח שוק התקנים מחומרי מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול 2025: ניתוח מעמיק של גורמי צמיחה, חדשנויות טכנולוגיות והזדמנויות גלובליות. חקר מגמות מרכזיות, תחזיות ותובנות אסטרטגיות מעצבות את עתיד התעשייה.

• סיכום מנהלים & סקירה כללית של השוק
• מגמות טכנולוגיות מרכזיות בהתקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול
• נוף תחרותי ושחקנים מובילים
• תחזיות צמיחת השוק (2025–2030): CAGR, ניתוח הכנסות ונפח
• ניתוח שוק אזורי: צפון אמריקה, אירופה, אסיה-פסיפיק ושאר העולם
• מבט לעתיד: יישומים מתפתחים ונקודות חמה להשקעה
• אתגרים, סיכונים והזדמנויות אסטרטגיות
• מקורות & הפניות

סיכום מנהלים & סקירה כללית של השוק

התקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG), המבוססים בעיקר על חומרים כמו קרביד סיליקון (SiC) וחנקן גליום (GaN), מהפכניים את landscape האלקטרוני הגלובלי על ידי אפשרות גבוה יותר של יעילות, צפיפות חשמלית גבוהה יותר וביצועים תרמיים מעולים בהשוואה להתקנים מבוססי סיליקון מסורתיים. תכונות אלו הופכות את המוליכים למחצה WBG לקריטיים עבור יישומים לדור הבא ברכבים חשמליים (EVs), מערכות אנרגיה מתחדשת, ספקי כוח תעשייתיים ותשתיות תקשורת מתקדמות.

השוק הגלובלי עבור התקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול נמצא בדרך לצמיחה חזקה בשנת 2025, מונע מאימוץ מהיר בהפקת חשמל לרכב, התפשטות של רשתות 5G וגידול בדרישה עבור אלקטרוניקה חוזית עם תחכום אנרגטי. על פי קבוצת Yole, שוק המוליכים למחצה WBG צפוי להגיע ליותר מ-$3.5 מיליארד דולר בשנת 2025, עם שיעור צמיחה שנתי (CAGR) שעובר את ה-30% מ-2020 ל-2025. התפוסה הזו מתבססת על התרחבות מהירה של MOSFETs של SiC ו-HEMTs של GaN ביישומים של מתח גבוה ותדר גבוה, בהתאמה.

יצרני רכבים בתהליך שינויים מהירים יוצרים יתרון בשילוב התקני SiC בשרשראות כוח של רכבים חשמליים ובתשתיות טעינה כדי להשיג יעילות גבוהה יותר וטווחי נסיעה ארוכים יותר. שחקני תעשייה מרכזיים כמו STMicroelectronics, Infineon Technologies AG ו-onsemi מעלים את תיקי ה-WBG שלהם ואת קיבולות הייצור כדי לעמוד בדרישה הגוברת. במקביל, מגזר האנרגיה המתחדשת עושה שימוש במכשירים מבית WBG כדי לשפר את הביצועים של ממירי אנרגיה סולאריים וממירים של אנרגיית רוח, ומניע את התפשטות השוק.

גיאוגרפית, אסיה-פסיפיק נותרה השוק הדומיננטי, מונעת על ידי השקעות אגרסיביות בייצור רכבים חשמליים, אלקטרוניקה לצרכן ואוטומציה תעשייתית, בעיקר בסין, יפן וקוריאה הדרומית. צפון אמריקה ואירופה גם עדים למומנטום משמעותי, נתמכים על ידי תמריצים ממשלתיים עבור אנרגיה נקייה ומיזמים אסטרטגיים להכנסת שרשראות אספקת מוליכים למחצה.

על אף התחזיות המפורטות, השוק מתמודד עם אתגרים כמו עלויות חומר וייצור גבוהות, אילוצים בשרשרת האספקה, ונחיצות לסטנדרטיזציה נוספת. עם זאת, מאמצי R&D מתמשכים והרחבות יכולות צפויים להקל בהדרגה על מכשולים אלו, מה שמסלול את הדרך לאימוץ המוני של התקני מוליכים למחצה WBG על פני מגזרי שימוש שונים בשנת 2025 ואילך.

מגמות טכנולוגיות מרכזיות בהתקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול

התקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG), המבוססים בעיקר על חומרים כמו קרביד סיליקון (SiC) וחנקן גליום (GaN), נמצאים בחזית החדשנות באלקטרוניקה של כח, יישומי RF ואופטי אלקטרוניקה. עם הבשלה של השוק בשנת 2025, מספר מגמות טכנולוגיות מרכזיות מעצבות את הנוף התחרותי ומניעות את האימוץ בתעשיות.

• התקדמויות באיכות חומר וגודל וופרים: המעבר מוופרים באורך 4 אינצ' ל-6 אינצ' ואפילו 8 אינצ' של SiC מתגבר, ומאפשר תשואות התקן גבוהות יותר ועלויות נמוכות יותר לכל שבב. חברות כמו Wolfspeed ו-onsemi משקיעות רבות בהרחבת קיבולת ייצור וופי SiC, דבר שצפוי להקל על בעיות אספקה ולתמוך בהרחבת מודולי כוח לרכב חשמלי (EV) ותעשייה.
• שילוב GaN-on-Silicon: התקנים GaN המיוצרים על מצעים סיליקוניים זוכים לפופולריות עקב עלותם הנמוכה וההתאמה שלהם לתהליכי CMOS קיימים. מגמה זו מאפשרת את התפשטותם של ICs מבוססי GaN עבור אלקטרוניקה לצרכן, מרכזי נתונים ויישומי טעינה מהירה, כפי שמודגש על ידי Navitas Semiconductor ו-Infineon Technologies.
• דרגות מתח וזרם גבוהות יותר: התקני SiC ו-GaN דוחפים את הגבולות של דרגות מתח וזרם, כאשר MOSFETs של SiC זמינים כיום בצורה רגילה במתח של 1200V ו-1700V, ו-HEMTs של GaN מגיעים ל-650V ומעלה. זה מאפשר את השימוש שלהם ביישומים בעלי כוח גבוה כמו ממירי אנרגיה מתחדשת, מערכות הנעה של רכבים חשמליים ותשתיות רשת (STMicroelectronics).
• שיפורים באמינות ועמידוּת: ארכיטקטורות התקן משופרות וטכנולוגיות אריזת מוצר פונות לחששות האמינות, במיוחד עבור פריסות בתעשיית הרכב והתעשיה. חידושים במבני שער תעלה, פעולות פאסיבציה מתקדמות ורמות אריזות חזקות מאריכים את חיי ההתקן וביצועים תרמיים (ROHM Semiconductor).
• מודולים חכמים ושילוב: שילוב של התקני WBG עם תכונות בקרה דיגיטלית, חישה והגנה מוביל להופעתם של מודולים חכמים. מודולים אלו מקלים על תכנון מערכת ומשפרים את היעילות, במיוחד ברכבים חשמליים ואוטומציה תעשייתית (Mitsubishi Electric).

מגמות טכנולוגיות אלו צפויות לזרז את אימוץ התקני מוליכים למחצה WBG בשנת 2025, לתמוך במעבר הגלובלי לאלקטריפיקציה, יעילות אנרגטית ואלקטרוניקה בעלת ביצועים גבוהים.

נוף תחרותי ושחקנים מובילים

הנוף התחרותי להתקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG) בשנת 2025 מתאפיין בחדשנות מהירה, שותפויות אסטרטגיות והשקעות משמעותיות מצד גורמים תעשייתיים מבוססים ומגזריים מתפתחים. כמות גדלה של התקני WBG, במיוחד התקני SiC וחנקן גליום (GaN), הופכים להיות קריטיים יותר ויותר ביישומים כמו רכבים חשמליים (EVs), מערכות אנרגיה מתחדשת, ספקי כוח תעשייתיים ותשתיות 5G. השוק חווה תחרות מואצת כאשר חברות רודפות להרחיב את יכולות הייצור, לשפר את ביצועי ההתקן ולבצר את שרשראות האספקה.

שחקנים מרכזיים השולטים בשוק המוליכים למחצה WBG כוללים את Infineon Technologies AG, STMicroelectronics, onsemi, Wolfspeed, Inc. ו-ROHM Co., Ltd.. חברות אלו ביצעו השקעות משמעותיות בייצור SiC ו-GaN, כאשר מספרן הודיעו על מתקני ייצור חדשים והסכמים ארוכי טווח כדי להתמודד עם ההגובר בדרישה. למשל, Wolfspeed הרחיבה את מפעל Mohawk Valley שלה, במטרה להגדיל את תפוקת הוופרים של SiC, בעוד Infineon מגדילה את המתקן שלה בקולימן, מלזיה לייצור SiC.

הדינמיקה התחרותית מעוצבת גם על ידי אסטרטגיות אינטגרציה אנכית. חברות כמו STMicroelectronics ו-onsemi משקיעות בפעילויות מלמעלה, כולל תיאום אספקת חומרי גלם ופיתוח טכנולוגיות וופר פטנטיות, כדי להקל על סיכוני שרשרת האספקה ולהבטיח בקרת איכות. בינתיים, ROHM ו-Infineon מתמקדות בהרחבת תיקי המוצרים שלהן כדי לכסות מגוון רחב יותר של דרגות מתח וזרם, במטרה לפנות למגוון מגזרי שימוש.

• Infineon Technologies AG: מובילה בחדשנות התקני SiC ו-GaN, עם נוכחות חזקה בתעשיית הרכב והתעשייה.
• STMicroelectronics: מרחיבה בחוזקה את הקיבולת של SiC ושיתפת פעולה עם יצרני רכבים למניעת פלטפורמות EV לדור הבא.
• onsemi: מתמקדת בתחום הרכב ותשתיות אנרגיה, עם רכישות האחרונות לחיזוק תיק המוצרים של SiC.
• Wolfspeed, Inc.: חלוצה בחומרים והתקנים של SiC, עם שרשרת אספקה אינטגרטיבית ותוכניות התפשטות גלובליות.
• ROHM Co., Ltd.: זכויה על התקני SiC בעלי אמינות גבוהה ושותפויות אסטרטגיות בתחום הרכב.

השוק כולל גם שחקנים נישתיים וסטארטאפים המומחים בהתקני GaN, כמו Navitas Semiconductor ו-Efficient Power Conversion Corporation, המניעים חדשנות באלקטרוניקה לצרכן ויישומי טעינה מהירה. כשיש ביקוש גובר לפתרונות בעלי יעילות גבוהה וצפיפות חשמלית גבוהה, צפוי שהנוף התחרותי יישאר דינמי, עם התמזגות מתמשכת ופריצות טכנולוגיות לעצב את עתיד המוליכים למחצה WBG.

תחזיות צמיחת השוק (2025–2030): CAGR, ניתוח הכנסות ונפח

שוק התקני המוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG) נמצא בדרך לצמיחה חזקה בין 2025 ל-2030, מונע על ידי אימוץ מהיר ברכבים חשמליים (EVs), מערכות אנרגיה מתחדשת ויישומים תעשייתיים מתקדמים. על פי תחזיות של MarketsandMarkets, השוק הגלובלי עבור מוליכים למחצה WBG – כולל קרביד סיליקון (SiC) והתקני חנקן גליום (GaN) – צפוי להשיג שיעור צמיחה שנתי (CAGR) של כ-23% במהלך תקופה זו. תחזיות ההכנסות מצביעות על עלייה מנתון משוער של $3.5 מיליארד בשנת 2025 ליותר מ-$9.8 מיליארד עד 2030, מה שמשקף את התפשטות הנפח וחשבון מחירים מאחזים גבוהים ככל שביצועי ההתקן משתפרים.

ניתוח נפח מצביעה על עלייה משמעותית בהובלות יחידות, בעיקר עבור MOSFETs של SiC ו-HEMTs של GaN, המועדפים יותר ויותר עבור המרה חשמלית יעילה ויישומי טעינה מהירה. קבוצת Yole תחזית כי הובלות יחידות שנתיות של התקני כוח WBG יעלו על 1.2 מיליארד יחידות עד 2030, בהשוואה לכ-350 מיליון יחידות בשנת 2025. זינוק זה נובע מהאלקטריפיקציה המהירה של התחבורה ומהרחבת תשתיות האנרגיה המתחדשת, שם התקני WBG מציעים יעילות גבוהה יותר, ביצועים תרמיים וצפיפות חשמלית בהשוואה לרכיבי סיליקון מסורתיים.

באופן גיאוגרפי, צפויה אסיה-פסיפיק לשמור על דומיננטיותה, עם יותר מ-50% מההכנסות הגלובליות עד 2030, מובל על ידי אימוץ רכבים חשמליים בוזופים בסין, קוריאה הדרומית ויפן, כמו גם השקעות משמעותיות בקיבולת ייצור מקומית. צפון אמריקה ואירופה צפויות גם לחוות שיעורי צמיחה מעל הממוצע, נתמכים על ידי תמריצים ממשלתיים עבור אנרגיה נקייה והכניסה של שרשראות אספקה של מוליכים למחצה.

שחקני תעשייה מרכזיים כמו Infineon Technologies AG, Wolfspeed, Inc. ו-onsemi מגדילים את קיבולת הייצור ומשקיעים במבני התקנים לדורות הבאים כדי לעמוד בדרישה הגוברת. השוק חווה גם אינטגרציה אנכית מוגברת ושותפויות אסטרטגיות, מתמקדות בביטחון אספקת חומרי גלם והאצת מעגלי חדשנות.

לסיכום, תקופת 2025–2030 צפויה להיות מועילה עבור שוק התקני המוליכים למחצה WBG, עם צמיחה דו-ספרתית ב-CAGR, עלייה משמעותית בהכנסות ומועצת משלוח חדגת מעל בעשור הקבוצות, נתמך על ידי המהפכה הגלובלית לעבר אלקטריפיקציה ויעילות אנרגטית.

ניתוח שוק אזורי: צפון אמריקה, אירופה, אסיה-פסיפיק ושאר העולם

שוק התקני המוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG) חווה צמיחה חזקה, עם דינמיקה אזורית שמעוצבת על ידי חדשנות טכנולוגית, מדיניות ממשלתית ודרישת משתמשי סיום. בשנת 2025, צפון אמריקה, אירופה, אסיה-פסיפיק ושאר העולם (RoW) מציעים כל אחד הזדמנויות ואתגרים שונים לאימוץ התקני WBG, במיוחד בתחום האלקטרוניקה של כוח, תחבורה חשמלית ומערכות אנרגיה מתחדשת.

צפון אמריקה נשמרת כמובילה בחדשנות מוליכים למחצה WBG, מונעת על ידי השקעות גבוהות ב-R&D ואקוסיסטם בוגר עבור רכבים חשמליים ואנרגיה מתחדשת. ארצות הברית, במיוחד, נהנית מיוזמות ממשלתיות התומכות בייצור סמיקונדוקטורים מקומיים והפקת חשמל, כמו חוק CHIPS. שחקנים מרכזיים כמו Wolfspeed ו-onsemi מרחיבים את קיבולות הייצור של SiC ו-GaN כדי לעמוד בדרישות הגוברות מלקוחות בתחום הרכב והתעשייה. המוקד של האזור על יעילות אנרגטית ומודרניזציה של הרשת מגביר את הצמטת התקנים WBG.

אירופה מתאפיינת ביעדים ודוחים על הפחתת פליטות אגרסיביים ובתעשיית רכב חזקה שמתמקדת באלקטריפיקציה. העסקאות הירוקות של האיחוד האירופי ויוזמות Fit for 55 מקדמות השקעות בטכנולוגיות WBG עבור רכבים חשמליים, תשתיות טעינה ואינטגרציה מתחדשת. חברות כמו Infineon Technologies ו-STMicroelectronics נמצאות בחזית, עם מתקני SiC ו-GaN חדשים הצפויים לתמוך בדרישה אזורית וגלובלית. הסביבה הרגולטורית של אירופה ומוקד השמירה על קיימות צפויים להניע שוק צומח דו-ספרתי עד 2025.

• אסיה-פסיפיק היא האזור הצומח ביותר, בעלת השכיחות הגבוהה ביותר של צריכת המוליכים למחצה WBG. סין, יפן וקוריאה הדרומית משקיעות רבות בשרשרת אספקה מקומית ואימוץ רכבים חשמליים. חברות סיניות כמו Sanan IC ומובילים יפניים כמו ROHM Semiconductor מגדילות את ייצורן, כאשר תמריצים ממשלתיים וביקוש מקומי לאלקטרוניקה ולאנרגיה מתחדשת דוחפים את התפשטות השוק. הדומיננטיות של האזור בייצור אלקטרוניקה ועיור מהיר תומכים בהובלה שלו באימוץ התקני WBG.
• שאר העולם (RoW), כולל אמריקה הלטינית ומדינות המזרח התיכון, נמצאות בשלבים מוקדמים יותר של אימוץ WBG. הצמיחה מונעת בעיקר על ידי פרויקטים של אנרגיה מתחדשת ומאמצי מודרניזציה של הרשת, עם עניין הולך וגדל מצד חשבי חשמל ומגזר תעשייתי. עם זאת, תשתית ייצור מוגבלת ותלות גבוהה בייבוא עשויות להגביל צמיחה בטווח הקצר בהשוואה לאזורים אחרים.

באופן כללי, דינמיקה של השוק האזורי ב-2025 משקפת קונברגנציה של תמיכה פוליטית, אסטרטגיה תעשייתית וביקוש שוק סופי, אשר מציב את התקני המוליכים למחצה WBG כאבן יסוד של אלקטרוניקה מתקדמת בעולם.

מבט לעתיד: יישומים מתפתחים ונקודות חמה להשקעה

בהתבוננות קדימה בשנת 2025, התחזיות עבור התקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG) מצביעות על התרחבות מהירה ליישומים מתפתחים וזיהוי נקודות חמות להשקעה. חומרים WBG, כגון קרביד סיליקון (SiC) וחנקן גליום (GaN), מוכרים יותר ויותר על ביצועיהם העולים באי-מוצרי מתח גבוה, תדר גבוה וסביבות טמפרטורה גבוהה בהשוואה להתקנים מבוססי סיליקון מסורתיים. יתרון טכנולוגי זה מניע את האימוץ שלהם במגוון רחב של יישומים לדור הבא.

אחד מהיישומים המתפתחים החשובים ביותר הוא בתחום רכבים חשמליים (EVs) ובתשתיות טעינה שלהם. התקנים WBG מאפשרים יעילות גבוהה יותר וצפיפות חשמלית גבוהה יותר בשרשראות הכוח של רכבים חשמליים ובמטענים מהירים, דבר שמפחית אובדן אנרגיה וגורם הקטנה בגודל המערכת. על פי Infineon Technologies AG, אימוץ MOSFETs של SiC בממירים עבור רכבים חשמליים צפוי לזרז עם יצרני רכבים מרכזיים משלבים התקנים אלה כדי להאריך את טווח הנסיעה ולצמצם את זמני הטעינה. באופן דומה, onsemi ו-STMicroelectronics הודיעו על השקעות משמעותיות בייצור SiC ו-GaN כדי לעמוד בדרישה הגוברת מהתחום הרכב.

נקודת חמה נוספת היא אנרגיה מתחדשת, בעיקר בממירים סולאריים ובמערכות המרת אנרגיית רוח. מוליכים למחצה WBG משפרים את היעילות והאמינות של המרה חשמלית, תומכים במעבר הגלובלי לאנרגיה נקייה. Wolfspeed מעריכה כי השוק עבור SiC באנרגיה מתחדשת יגדל בשיעור דו-ספרתי עד 2025, בעקבות תמריצים ממשלתיים והצורך במודרניזציה של הרשת.

אוטומציה תעשייתית ומרכזי נתונים גם צפויים ליהנות מאימוץ WBG. בנהגות מנועים תעשייתיים וברתים רובוטיים, התקנים אלה מאפשרים עיצובים קומפקטיים ויעילים אנרגטית. במרכזי נתונים, ספקי כוח מבוססי GaN מועסקים כדי להפחית את צריכת האנרגיה ואת דרישות הקירור, כפי שמודגש על ידי Navitas Semiconductor.

• נקודות חמות להשקעה: האזור אסיה-פסיפיק, במיוחד סין ויפן, מתגלה כיעד השקעה מרכזי בעקבות שווקים חזקים עבור רכבים חשמליים ואנרגיה מתחדשת. גם צפון אמריקה ואירופה חווים זרמי הון מוגברים להשקעות בייצור WBG ו-R&D, נתמכים על ידי יוזמות ממשלתיות ושותפויות אסטרטגיות.
• יישומים מתפתחים: מעבר לרכב ואנרגיה, התקני WBG מוצאים תפקידים בתשתיות 5G, בתעשיית תעופה והגנה, בהם הביצועים הגבוהים והעמידים הם קריטיים.

באופן כללי, 2025 צפויה להיות שנה מרכזית עבור התקני המוליכים למחצה WBG, עם התפשטות יישומים והשקעות אסטרטגיות מעצבות את הנוף התחרותי ומאיצות את המעבר לאלקטרוניקה בעלי יעילות גבוהה.

אתגרים, סיכונים והזדמנויות אסטרטגיות

התקני מוליכים למחצה עם פער רוחב גדול (WBG), המבוססים בעיקר על חומרים כמו קרביד סיליקון (SiC) וחנקן גליום (GaN), משנים את התחום של האלקטרוניקה של כוח על ידי אפשרות גבוהה יותר של יעילות, צפיפות חשמלית גבוהה יותר וביצועים תרמיים משופרים בהשוואה להתקנים מבוססי סיליקון מסורתיים. עם זאת, המסלול של השוק בשנת 2025 מעוצב על ידי מצבים מורכבים של אתגרים, סיכונים והזדמנויות אסטרטגיות.

אתגרים וסיכונים

• עלויות ייצור גבוהות: ייצור של מכשירים WBG כולל חומרים גולמיים יקרים ותהליכי ייצור מתקדמים. לדוגמה, ייצור וופרים של SiC מורכב ויקר יותר מסיליקון, מה שמוביל למחירים גבוהים יותר של ההתקנים ומגביל את האימוץ ביישומים רגישים למחיר (STMicroelectronics).
• אילוצי שרשרת אספקה: מספר הספקים המוגבל עבור מצעים איכותיים של SiC ו-GaN יוצר צוואר בקבוק, במיוחד ככל שהדרישה גוברת מתחום הרכב ומתחום האנרגיה המתחדשת. סיכון זה מחמיר על ידי מתחים גיאופוליטיים והגבלות ייצוא פוטנציאליות (Yole Group).
• מחסומי טכנולוגיה: אינטגרציה של מכשירים WBG במערכות קיימות דורשת תבניות תכנון חדשות, אריזות מיוחדות וניהול תרמי מתקדם. חוסר בתהליכי בדיקה וניתוח סטנדרטיים מהווה אתגר נוסף אשר מעיק על ההפצה בקנה מידה רחב (Infineon Technologies).
• חששות לגבי אמינות: נתוני אמינות לטווח ארוך עבור התקני WBG עדיין מתפתחים. חששות לגבי דגרדציה של התקנים תחת הפעלת מתח גבוה ותדר גבוה עשויים להאט אימוץ ביישומים קריטיים (IEEE).

הזדמנויות אסטרטגיות

• אלקטריפיקציה של תחבורה: המעבר לרכבים חשמליים (EVs) הוא מנוע צמיחה מרכזי. התקני WBG מאפשרים טעינה מהירה, יעילות גבוהה יותר ורכב קל יותר, מה שעושה אותם אטרקטיביים עבור פלטפורמות EV לדורות הבאים (Wood Mackenzie).
• שילוב אנרגיה מתחדשת: מוליכים למחצה WBG משפרים את היעילות והאמינות של ממירי אנרגיה סולאריים וממירים של אנרגיית רוח, תומכים במעבר הגלובלי לאנרגיה נקייה (International Energy Agency).
• 5G ומרכזי נתונים: פריסת רשתות 5G והרחבת מרכזי נתונים דורשות ספקי כוח בעלי יעילות גבוהה ורכיבי RF, תחומים בהם השמירה על GaN ممتازת (Gartner).
• שותפויות אסטרטגיות ואינטגרציה אנכית: שחקנים מובילים משקיעים בשרשראות אספקה מלמעלה ומקימים שותפויות כדי להבטיח את אספקת הסובסטרט וכן להאיץ מעגלי חדשנות, מה שמקנה להקל על סיכוני האספקה והמחיר (onsemi).

לסיכום, בעוד שהתקני מוליכים למחצה WBG מתמודדים עם מכשולים משמעותיים בשנת 2025, החשיבות האסטרטגית שלהם באלקטריפיקציה, אנרגיה מתחדשת ותשתיות דיגיטליות מציבה אותם לצמיחה רבתי בטווח הארוך כאשר השחקנים בענף מתמודדים עם אתגרים בעניין עלות, אספקה ואמינות.

מקורות & הפניות

• STMicroelectronics
• Infineon Technologies AG
• Wolfspeed
• ROHM Semiconductor
• Mitsubishi Electric
• MarketsandMarkets
• Sanan IC
• Wolfspeed
• IEEE
• Wood Mackenzie
• International Energy Agency